STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 1,2 A 27 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
165-6580
Herst. Teile-Nr.:
STD1HN60K3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,2 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Serie

MDmesh K3, SuperMESH3

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

27 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.2mm

Länge

6.6mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9,5 nC @ 10 V

Höhe

2.4mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ K3-Serie, SuperMESH3™, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics