STMicroelectronics MDmesh STL13NM60N N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 3 W, 5-Pin PowerFLAT HS

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RS Best.-Nr.:
165-6618
Herst. Teile-Nr.:
STL13NM60N
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

PowerFLAT HS

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand max.

385 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

3 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

8mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

8mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

30 nC @ 10 V

Höhe

0.95mm

Serie

MDmesh

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics