Infineon SIPMOS SPB18P06PGATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18,6 A 81,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
165-6651
Herst. Teile-Nr.:
SPB18P06PGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

18,6 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

130 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

81,1 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

21 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Serie

SIPMOS

Höhe

9.25mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C