Infineon OptiMOS 3 BSC120N03MSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 39 A 28 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
165-6653
Herst. Teile-Nr.:
BSC120N03MSGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

39 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

14 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

28 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

5.35mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

15 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

6.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Serie

OptiMOS 3

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C