Infineon OptiMOS 3 BSC150N03LDGATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 20 A 26 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
165-6686
Herst. Teile-Nr.:
BSC150N03LDGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

22 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

26 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5.15mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

5.9mm

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

OptiMOS 3