STMicroelectronics DeepGate, STripFET STH320N4F6-6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 300 W, 8-Pin H2PAK

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RS Best.-Nr.:
165-6850
Herst. Teile-Nr.:
STH320N4F6-6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

200 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

H2PAK

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

1,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

240 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

15.25mm

Breite

10.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Serie

DeepGate, STripFET

Höhe

4.8mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics