Infineon OptiMOS T2 IPG20N04S4L08ATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A 54 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
165-6891
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N04S4L08ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

10,9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

54 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Länge

5.15mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

30 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

6.15mm

Serie

OptiMOS T2

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN