Vishay SI2329DS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 6 A 2,5 W, 3-Pin SOT-23 (TO-236)

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

996,00 €

(ohne MwSt.)

1.185,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,332 €996,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-6906
Herst. Teile-Nr.:
SI2329DS-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

6 A

Drain-Source-Spannung max.

8 V

Gehäusegröße

SOT-23 (TO-236)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

120 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.35V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-5 V, +5 V

Breite

1.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

19,3 nC @ 4,5 V

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN