Vishay SI1062X-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 530 mA 220 mW, 3-Pin SOT-523 (SC-89)
- RS Best.-Nr.:
- 165-6925
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1062X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- SI1062X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 530 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-523 (SC-89) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 762 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 220 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 1.7mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 0.95mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,8 nC @ 8 V | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 530 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-523 (SC-89) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 762 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 220 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 1.7mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 0.95mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,8 nC @ 8 V | ||
Höhe 0.8mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- PH