Vishay SI1965DH-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 1,2 A 1,25 W, 6-Pin SOT-363 (SC-88)
- RS Best.-Nr.:
- 165-6931
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1965DH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- SI1965DH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 12 V | |
| Gehäusegröße | SOT-363 (SC-88) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 710 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 1,25 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 1.35mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,8 nC @ 8 V | |
| Länge | 2.2mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 12 V | ||
Gehäusegröße SOT-363 (SC-88) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 710 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 1,25 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 1.35mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,8 nC @ 8 V | ||
Länge 2.2mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN