Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 8.7 A 156 W, 3-Pin SIHP8N50D-GE3 JEDEC

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
165-7113
Herst. Teile-Nr.:
SIHP8N50D-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.85Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.01mm

Breite

4.65 mm

Länge

10.51mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links