Vishay D Series SIHP8N50D-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8,7 A 156 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 165-7113
Herst. Teile-Nr.:: SIHP8N50D-GE3
Marke:: Vishay

Vishay D Series SIHP8N50D-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8,7 A 156 W, 3-Pin TO-220AB

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Produktdetails

N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	8,7 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Serie	D Series
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	850 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	156 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	15 nC @ 10 V
Länge	10.51mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.65mm
Höhe	9.01mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

RS Best.-Nr.:: 165-7113
Herst. Teile-Nr.:: SIHP8N50D-GE3
Marke:: Vishay

Vishay D Series SIHP8N50D-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8,7 A 156 W, 3-Pin TO-220AB

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