Vishay SIB452DK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 670 mA 13 W, 6-Pin SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 165-7264
- Herst. Teile-Nr.:
- SIB452DK-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 165-7264
- Herst. Teile-Nr.:
- SIB452DK-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 670 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 190 V | |
| Gehäusegröße | SC-75 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V | |
| Verlustleistung max. | 13 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 1.7mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 1.7mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,3 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 670 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 190 V | ||
Gehäusegröße SC-75 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 6 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.6V | ||
Verlustleistung max. 13 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 1.7mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 1.7mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 4,3 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 0.8mm | ||
- Ursprungsland:
- CN