Infineon SIPMOS SPD18P06PGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18,6 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
165-7522
Herst. Teile-Nr.:
SPD18P06PGBTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

18,6 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

130 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

80 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Länge

6.73mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

22 nC @ 10 V

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

SIPMOS