Infineon CoolMOS C6 IPD60R950C6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4,4 A 37 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
165-7523
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R950C6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4,4 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

950 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

37 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

13 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

CoolMOS C6