Infineon HEXFET IRFS38N20DPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 38 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
165-7591
Herst. Teile-Nr.:
IRFS38N20DPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

38 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

54 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

3,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.65mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.67mm

Serie

HEXFET

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C