Infineon HEXFET IRFB4310ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 127 A 250 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
165-7608
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4310ZPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

127 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10.67mm

Breite

4.83mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

120 nC @ 10 V

Höhe

9.02mm

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN