Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 5.7 A 83 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 165-8015
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R1K0CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
1.262,50 €
(ohne MwSt.)
1.502,50 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 03. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,505 € | 1.262,50 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-8015
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R1K0CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.41mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- MY
Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 5,7A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 83W maximale Verlustleistung - IPD80R1K0CEATMA1
Dieser MOSFET bietet Lösungen für das Leistungsmanagement und die allgemeine Elektronik und nutzt die fortschrittliche CoolMOS CE-Technologie mit Hochspannungsfähigkeiten bis zu 800 V. Er zeichnet sich durch einen hohen Wirkungsgrad und einen niedrigen Durchlasswiderstand aus, wodurch das Design optimiert und die Zuverlässigkeit erhöht wird.
Eigenschaften und Vorteile
• Erhöhte Leistungsdichte ermöglicht kompaktere Systemdesigns
• Geringerer Kühlungsbedarf führt zu Kosteneinsparungen bei den Systemen
• Niedrigere Betriebstemperaturen erhöhen die Zuverlässigkeit des Systems
• Hohe Spitzenstromfähigkeit unterstützt anspruchsvolle Anwendungen
• Zuverlässiger dv/dt-Wert gewährleistet Stabilität bei schnellen Spannungsänderungen
• Entspricht den RoHS-Normen für umweltverträglichen Einsatz
Anwendungsbereich
• Verwendung in LED-Beleuchtungslösungen für Nachrüstungsinstallationen
• Geeignet für QR-Flyback-Topologie in Stromversorgungen
• Wirksam in Kraftfahrzeug-Stromverteilungssystemen
• Ideal für verschiedene industrielle Hochspannungsanwendungen
Wie verbessert der MOSFET die Systemleistung beim Energiemanagement?
Sie verbessert die Leistungsdichte und verringert die thermischen Anforderungen, was zu einem höheren Wirkungsgrad und geringeren Energieverlusten im Betrieb führt.
Welche Vorteile bietet die Verwendung dieses Geräts in LED-Beleuchtungsanwendungen?
Es bietet eine zuverlässige Leistung bei geringerer Wärmeentwicklung und trägt so zur Langlebigkeit und Stabilität von Beleuchtungssystemen bei.
Ist dies mit Hochfrequenzanwendungen kompatibel?
Ja, seine niedrige Gate-Ladung und sein hoher Spitzenstrom machen ihn für Hochfrequenzbetrieb geeignet und sorgen für minimale Schaltverluste.
Wie hoch ist der maximale kontinuierliche Ableitstrom für dieses Gerät?
Der maximale Dauerstrom liegt bei 5,7 A und eignet sich damit für verschiedene stromintensive Anwendungen.
In welchem Temperaturbereich kann es arbeiten?
Er arbeitet effektiv zwischen -55°C und +150°C und ist vielseitig in verschiedenen Umgebungen einsetzbar.
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal 3-Pin TO-252