Infineon OptiMOS 3 BSZ900N15NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 13 A 38 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
165-8047
Herst. Teile-Nr.:
BSZ900N15NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

13 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

TSDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

91 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

38 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

3.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

3.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

5 nC @ 10 V

Höhe

1.1mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Serie

OptiMOS 3

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN