Infineon HEXFET IRF7910TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 10 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
165-8053
Herst. Teile-Nr.:
IRF7910TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

12 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

50 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

0.6V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Breite

4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17 nC @ 4,5 V

Länge

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Höhe

1.5mm

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C