Infineon OptiMOS BSB014N04LX3GXUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 89 W, 2-Pin MG-WDSON-2

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RS Best.-Nr.:
165-8070
Herst. Teile-Nr.:
BSB014N04LX3GXUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

180 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

MG-WDSON-2

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand max.

2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

89 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.05mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

148 nC bei 10 V, 71 nC bei 4,5 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.35mm

Höhe

0.6mm

Serie

OptiMOS

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Ursprungsland:
MY