Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 80 A 94 W, 3-Pin TO-220

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

94 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.57mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

25 nC bei 4,5 V, 51 nC bei 10 V

Länge

10.36mm

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C