Infineon CoolMOS CP IPA60R385CPXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 31 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
165-8121
Herst. Teile-Nr.:
IPA60R385CPXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

9 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

385 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

31 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

10.65mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.85mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Serie

CoolMOS CP

Höhe

16.15mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
MY

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.