Infineon OptiMOS 2 BSR802NL6327HTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,7 A 500 mW, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
- RS Best.-Nr.:
- 165-8170
- Herst. Teile-Nr.:
- BSR802NL6327HTSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 165-8170
- Herst. Teile-Nr.:
- BSR802NL6327HTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-346 (SC-59) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 32 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 0.75V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V | |
| Verlustleistung max. | 500 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 1.1mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,7 nC @ 2,5 V | |
| Länge | 3mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 3,7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-346 (SC-59) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 32 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 0.75V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.3V | ||
Verlustleistung max. 500 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 1.1mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 4,7 nC @ 2,5 V | ||
Länge 3mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.1V | ||
- Ursprungsland:
- CN