Infineon HEXFET IRF630NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,3 A 82 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-8186
Herst. Teile-Nr.:: IRF630NSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF630NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,3 A 82 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 165-8186
Herst. Teile-Nr.:: IRF630NSTRLPBF
Marke:: Infineon

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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	9,3 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	300 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	82 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	35 nC @ 10 V
Länge	10.67mm
Breite	11.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C