Infineon HEXFET IRLR6225TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 A 63 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 165-8220
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR6225TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
682,00 €
(ohne MwSt.)
812,00 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 - 4000 | 0,341 € | 682,00 € |
| 6000 + | 0,324 € | 648,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-8220
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR6225TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5,2 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Verlustleistung max. | 63 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 48 nC @ 4,5 V | |
| Breite | 7.49mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | HEXFET | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 5,2 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Verlustleistung max. 63 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Länge 6.73mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 48 nC @ 4,5 V | ||
Breite 7.49mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie HEXFET | ||
Höhe 2.39mm | ||
- Ursprungsland:
- CN