Infineon HEXFET IRF1404STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 162 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
165-8245
Herst. Teile-Nr.:
IRF1404STRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

162 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

3,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

160 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

11.3mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Höhe

4.83mm

Serie

HEXFET

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN