Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 131 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
165-8246
Herst. Teile-Nr.:
IRF1405STRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

131 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

200 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

11.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

170 nC @ 10 V

Länge

10.67mm

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

4.83mm

Ursprungsland:
CN