Infineon BF998 N-Kanal, SMD MOSFET-Tetrode 12 V / 30 mA 200 mW, 4-Pin SOT-143
- RS Best.-Nr.:
- 165-8252
- Herst. Teile-Nr.:
- BF998E6327HTSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 165-8252
- Herst. Teile-Nr.:
- BF998E6327HTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 12 V | |
| Serie | BF998 | |
| Gehäusegröße | SOT-143 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V | |
| Verlustleistung max. | 200 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -2,5 V, -2 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Leistungsverstärkung | 28 dB | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 30 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 12 V | ||
Serie BF998 | ||
Gehäusegröße SOT-143 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V | ||
Verlustleistung max. 200 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -2,5 V, -2 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1.3mm | ||
Leistungsverstärkung 28 dB | ||
- Ursprungsland:
- CN