Infineon OptiMOS 3 IPB049NE7N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
165-8272
Herst. Teile-Nr.:
IPB049NE7N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.8V

Gate-Schwellenspannung min.

2.3V

Verlustleistung max.

150 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

51 nC @ 10 V

Länge

10.31mm

Breite

9.45mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

4.57mm

Serie

OptiMOS 3

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN