Infineon HEXFET IRFH8316TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 120 A 59 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
165-8285
Herst. Teile-Nr.:
IRFH8316TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

PQFN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

4,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

59 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

30 nC @ 4,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5mm

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

HEXFET

Diodendurchschlagsspannung

1V

Ursprungsland:
CN