Infineon HEXFET IRFS4310ZTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 127 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-8292
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4310ZTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFS4310ZTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 127 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 165-8292
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4310ZTRLPBF
Marke:: Infineon

IRFS4310ZPbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	127 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	250 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	120 nC @ 10 V
Länge	10.67mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	11.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	4.83mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET IRFS4310ZTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 127 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

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