DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 980 mW, 6-Pin SOT-26
- RS Best.-Nr.:
- 165-8619
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG9926UDM-7
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 165-8619
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG9926UDM-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-26 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 40 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 0.9V | |
| Verlustleistung max. | 980 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Breite | 1.7mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,3 nC @ 4,5 V | |
| Länge | 3.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 4,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-26 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 40 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 0.9V | ||
Verlustleistung max. 980 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Breite 1.7mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8,3 nC @ 4,5 V | ||
Länge 3.1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.3mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.