DiodesZetex DMN26D0UFB4-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 240 mA 350 mW, 3-Pin X2-DFN1006
- RS Best.-Nr.:
- 165-8842
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN26D0UFB4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- DMN26D0UFB4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 240 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | X2-DFN1006 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.05V | |
| Verlustleistung max. | 350 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 1.05mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10,5 nC @ 5 V | |
| Breite | 0.65mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 0.35mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 240 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße X2-DFN1006 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 10 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.05V | ||
Verlustleistung max. 350 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 1.05mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10,5 nC @ 5 V | ||
Breite 0.65mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 0.35mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN