DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 6 V / 2 A 1,41 W, 6-Pin U-DFN2018
- RS Best.-Nr.:
- 165-8873
- Herst. Teile-Nr.:
- AP2281-3FMG-7
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 165-8873
- Herst. Teile-Nr.:
- AP2281-3FMG-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 6 V | |
| Gehäusegröße | U-DFN2018 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 280 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 1,41 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 1.7mm | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 3.1mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 6.5V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 6 V | ||
Gehäusegröße U-DFN2018 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 280 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 1,41 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 1.7mm | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 3.1mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 6.5V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Höhe 1.3mm | ||
- Ursprungsland:
- CN