Nexperia N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 800 mA 1,09 W, 6-Pin SOT-666
- RS Best.-Nr.:
- 165-9828
- Herst. Teile-Nr.:
- PMDT290UNE,115
- Marke:
- Nexperia
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 165-9828
- Herst. Teile-Nr.:
- PMDT290UNE,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 800 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-666 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 380 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 0.95V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Verlustleistung max. | 1,09 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 1.3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,45 nC @ 4,5 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 1.7mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 800 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-666 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 380 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 0.95V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Verlustleistung max. 1,09 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 1.3mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,45 nC @ 4,5 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 1.7mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 0.6mm | ||
- Ursprungsland:
- MY