Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 2,7 W, 3-Pin SOT-883B
- RS Best.-Nr.:
- 165-9872
- Herst. Teile-Nr.:
- PMZB290UNE,315
- Marke:
- Nexperia
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 165-9872
- Herst. Teile-Nr.:
- PMZB290UNE,315
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-883B | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 380 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 0.95V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Verlustleistung max. | 2,7 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,45 nC @ 4,5 V | |
| Länge | 1.05mm | |
| Breite | 0.65mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 0.36mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-883B | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 380 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 0.95V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Verlustleistung max. 2,7 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,45 nC @ 4,5 V | ||
Länge 1.05mm | ||
Breite 0.65mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 0.36mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN