Nexperia PSMN130-200D,118 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 20 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
166-0311
Herst. Teile-Nr.:
PSMN130-200D,118
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

130 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

150 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

65 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.38mm

Ursprungsland:
PH