Nexperia PMGD780SN,115 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 490 mA 410 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-88)
- RS Best.-Nr.:
- 166-0608
- Herst. Teile-Nr.:
- PMGD780SN,115
- Marke:
- Nexperia
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- PMGD780SN,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 490 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SOT-363 (SC-88) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 920 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 410 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 1.35mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,05 nC @ 10 V | |
| Länge | 2.2mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 490 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SOT-363 (SC-88) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 920 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 410 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 1.35mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,05 nC @ 10 V | ||
Länge 2.2mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1mm | ||
- Ursprungsland:
- MY