Infineon OptiMOS IPG20N06S4L26ATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 20 A 33 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
166-0823
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N06S4L26ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

46 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

33 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

15 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

5.15mm

Breite

5.9mm

Höhe

0.75mm

Serie

OptiMOS

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
MY