Infineon SIPMOS BSS139H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 100 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 166-0926
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS139H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 166-0926
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS139H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 250 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 14 Ω | |
| Channel-Modus | Depletion | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V | |
| Verlustleistung max. | 360 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 1.3mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 2.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,3 nC bei 5 V | |
| Höhe | 1mm | |
| Serie | SIPMOS | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 250 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 14 Ω | ||
Channel-Modus Depletion | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V | ||
Verlustleistung max. 360 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 1.3mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 2.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,3 nC bei 5 V | ||
Höhe 1mm | ||
Serie SIPMOS | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
RoHS: nicht konform / nicht kompatibel