Infineon HEXFET IRFR9N20DPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 86 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
166-1080
Herst. Teile-Nr.:
IRFR9N20DPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

9,4 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

86 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.73mm

Breite

7.49mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

18 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Höhe

2.39mm

Serie

HEXFET

Ursprungsland:
MX