STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 55 A 95 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
166-1200
Herst. Teile-Nr.:
STB55NF06L
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

55 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Serie

STripFET II

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

18 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

95 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

27 nC @ 4,5 V

Breite

9.35mm

Länge

10.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

4.6mm

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