Nexperia BSH114,215 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 850 mA 830 mW, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
- RS Best.-Nr.:
- 166-1394
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH114,215
- Marke:
- Nexperia
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 166-1394
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH114,215
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 850 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 (TO-236AB) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 500 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 830 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 1.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 3mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,6 nC @ 10 V | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 850 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 (TO-236AB) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 500 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 830 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 1.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 3mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 4,6 nC @ 10 V | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||