onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 24 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 166-1630
- Herst. Teile-Nr.:
- NDB6020P
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 166-1630
- Herst. Teile-Nr.:
- NDB6020P
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 24 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 80 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 60 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 5 V | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Höhe | 11.33mm | |
| Betriebstemperatur min. | –65 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 24 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 80 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 60 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 25 nC @ 5 V | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Höhe 11.33mm | ||
Betriebstemperatur min. –65 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY