onsemi PowerTrench N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 35 V / 5 A; 7 A 1,6 W, 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-1666
Herst. Teile-Nr.:
FDS8960C
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

5 A; 7 A

Drain-Source-Spannung max.

35 V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

PowerTrench

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

37 mΩ, 87 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

1,6 W, 2 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-25 V, -20 V, +20 V, +25 V

Breite

3.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

5,5 nC @ 5 V, 5,7 nC @ 5 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

4.9mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.575mm

Ursprungsland:
MY