onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 9.5 A 900 mW, 6-Pin MLP

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RS Best.-Nr.:
166-1819
Herst. Teile-Nr.:
FDMA410NZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

MLP

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

50mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

900mW

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.75mm

Länge

2mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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