onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 2,4 W, 900 mW, 6-Pin MicroFET 2 x 2

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
166-2323
Herst. Teile-Nr.:
FDMA908PZ
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

12 V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

MicroFET 2 x 2

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

16 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.4V

Verlustleistung max.

2,4 W, 900 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +8 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

2.05mm

Länge

2.05mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

24 nC @ 4,5 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.775mm

Verwandte Links