onsemi UltraFET HUFA76419D3ST N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 20 A 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
166-2387
Herst. Teile-Nr.:
HUFA76419D3ST
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

37 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

75 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.73mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

23 nC @ 10 V

Höhe

2.39mm

Serie

UltraFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
US