onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 120 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 166-2480
- Herst. Teile-Nr.:
- FDV302P
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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- 166-2480
- Herst. Teile-Nr.:
- FDV302P
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.65V | |
| Verlustleistung max. | 350 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | +8 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 2.92mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,22 nC @ 4,5 V | |
| Breite | 1.3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 0.93mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 120 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 25 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 10 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.65V | ||
Verlustleistung max. 350 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. +8 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 2.92mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,22 nC @ 4,5 V | ||
Breite 1.3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 0.93mm | ||