onsemi QFET FQB50N06TM N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 166-2533
- Herst. Teile-Nr.:
- FQB50N06TM
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
658,40 €
(ohne MwSt.)
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 - 1600 | 0,823 € | 658,40 € |
| 2400 - 4000 | 0,813 € | 650,40 € |
| 4800 + | 0,739 € | 591,20 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-2533
- Herst. Teile-Nr.:
- FQB50N06TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 22 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 3,75 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.65mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Serie | QFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 50 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 22 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 3,75 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.65mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.67mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 31 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Serie QFET | ||